據(jù)韓國媒體報道，三星DDR6內存已經(jīng)投入研發(fā)，并預計在2024年之前完成設計。

報道稱，三星負責測試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁在韓國水原的一次研討會上透露，隨著未來內存本身性能的擴大，封裝技術也需要不斷發(fā)展。該公司證實，它已經(jīng)處于下一代DDR6內存的早期開發(fā)階段，將采用MSAP（改良半加成法）封裝技術。

根據(jù)三星的說法，MSAP已經(jīng)被其競爭對手（SK海力士和美光）用于DDR5。

那么，MSAP有什么新特點呢？

據(jù)介紹，MSAP修正后的半加成工藝允許DRAM制造商創(chuàng)建具有更精細電路的內存模塊。這是通過在以前未被觸及的空位上涂抹電路圖案來實現(xiàn)的，這樣可以實現(xiàn)更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內存不僅將利用MSAP來加強電路連接，而且還將適應DDR6內存中增加的層數(shù)。

三星預計，其DDR6設計將在2024年之前完成，但預計2025年之后才會有商業(yè)使用的可能。就規(guī)格而言，DDR6內存將是現(xiàn)有DDR5內存的兩倍，傳輸速度可達12800Mbps（JEDEC），超頻后的速度可超過17000Mbps。

目前，三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200Mbps，在JEDEC標準下提高了1.7倍，在下一代內存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。